[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200680025166.2 | 申请日： | 2006-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN101218670A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 高井啓次;平岛哲也 | 申请（专利权）人： | 株式会社三井高科技 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨本良;文琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件(28)的方法，其中在引线框材料(10)的正表面侧或反表面侧上的预定部分处形成具有贵金属电镀层(35)作为最上层的电镀掩模(38，39)，以及通过使用该电镀掩模(38，39)作为抗蚀剂掩模，连续地刻蚀引线框材料(10)，以便形成与在包封树脂(21)的内部布置的半导体元件(18)电连通并向下凸出的外部连接端部(22)。显示出刻蚀液抵抗性的基本金属电镀层或贵金属电镀层(33)被设置为电镀掩模(38，39)的最底层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在引线框材料的正表面侧或反表面侧上的预定部分，形成具有贵金属电镀层作为最上层的电镀掩模，设置显示出刻蚀液抵抗性的基本金属电镀层或贵金属电镀层作为电镀掩模的最底层，通过使用该电镀掩模作为抗蚀剂掩模，连续地刻蚀该引线框材料，以及形成与在包封树脂的内部布置的半导体元件电连通的外部连接端部，该外部连接端部向下凸出。
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