[发明专利]LDMOS晶体管有效
| 申请号： | 200680025346.0 | 申请日： | 2006-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101218682A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 弗雷尔克·范瑞哲;斯蒂芬·J·C·H·特厄乌文;彼得拉·C·A·哈梅斯 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/423;H01L23/31;H01L21/336;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰爱*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明的LDMOS晶体管(1)包括源区(3)、沟道区(4)、漏外延区(7)和栅电极(10)。LDMOS晶体管(1)进一步包括第一栅氧化层(8)和第二栅氧化层(9)，并且第二栅氧化层(9)厚于第一栅氧化层(8)。第一栅氧化层(8)至少延伸经过毗邻源区(3)的沟道区(4)的第一部分。第二栅氧化层(9)延伸经过电场(E)的局部最大值(A，B)产生热载流子的区域，从而降低热载流子的影响并减弱Idq退化。在另一个实施例中，第二栅氧化层(9)延伸经过沟道区(4)的第二部分，其中第二部分将漏外延区(7)和沟道区(4)的第一部分相互连接起来，于是提高了LDMOS晶体管(1)的线性效率。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种被布置在半导体衬底(2)上的LDMOS晶体管(1)，所述LDMOS晶体管(1)包括延伸经过沟道区(4)的栅电极(10)和通过所述沟道区(4)相互连接的源区(3)和漏区(5)，所述漏区(5)包括漏接触区(6)和从所述漏接触区(6)向所述沟道区(4)延伸的漏外延区(7)，所述LDMOS晶体管沟道区(1)进一步包括第一绝缘层(8)，第一绝缘层(8)至少延伸经过毗邻所述源区(3)的所述沟道区(4)的第一部分，其中在毗邻所述第一绝缘层(8)处布置了第二绝缘层(9)，所述第二绝缘层(9)厚于所述第一绝缘层(8)。
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