[发明专利]用于校验从气体供应系统进入等离子体处理室的气体流率的方法

摘要

提供了在用于提供气体到等离子体处理室(12)的气体供应系统中测量气体流率的方法。在差异流量方法中，在不同设定流率操作流量控制器，并且在环境条件下为该设定流率测量上游孔压力。该测量的孔压力作为参考提供给次级流量校验方法，该次级流量校验方法为不同设定流率产生对应的实际气体流率。该上游孔压力可用作对后续上游孔压力测量的差异比较，该后续测量可在该室的任何温度条件下进行。在绝对流量方法中，预先确定所选取气体和孔的一些参数，并且当该气体从流量控制器以设定流率流过一个孔时测量该气体的其它参数。

主权项

1.一种用于校验从气体供应系统到等离子体处理室的处理气体流率的方法，所述方法包括：a)设置第一流量控制器于第一设定点，并且以来自所述第一流量控制器的第一设定流率流动气体，所述气体通过孔阵列的第一孔流入在环境温度下的等离子体处理室中；b)设置所述第一流量控制器于第二设定点，并且以来自所述第一流量控制器的第二设定流率流动所述气体，所述气体通过所述孔阵列的所述第一孔或第二孔流入在环境温度下的所述等离子体处理室中；c)为各所述第一和第二设定流率，测量所述气体进入所述等离子体处理室的实际流率；d)确定所述第一流量控制器的所述第一和第二设定流率以及所述实际流率之间的关系；e)分别测量在所述第一和第二设定流率下，所述第一和第二孔上游的气体压力，所述室处于环境温度下；f)使用所述实际流率以及所述测得的所述第一和第二设定流率的上游气体压力，确定各所述第一孔和第二孔的所述第一流量控制器的经验系数Kd；g)设置所述第一流量控制器于第三设定点，并且以来自所述第一流量控制器的第三设定流率流动所述气体，所述气体通过所述第一或第二孔流入所述等离子体处理室中；h)测量在所述第三设定流率下，所述第一或第二孔上游的气体压力；以及i)使用分别对于所述第一或第二孔的测得的气体压力以及Kd，确定以所述第三设定流率通过所述第一或第二孔的气体流率。