[发明专利]信息记录介质及其制造方法无效
申请号: | 200680026165.X | 申请日: | 2006-07-06 |
公开(公告)号: | CN101223591A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | 坂上嘉孝;西原孝史;儿岛理惠;槌野晶夫 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24;G11B7/257;G11B7/243;G11B7/258;G11B7/254;G11B7/26 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种信息记录介质及其制造方法,在构成单面具有多个信息层(1、2)的信息记录介质的至少两个信息层中,一个信息层(1)中所含的记录层(7)及与之邻接设置的电介质层(6、8)的组成与另一个信息层中所含的这些层(12、11、13)的组成相同,由此,可不进行靶更换地在相同的溅射成膜室分别形成两个信息层(1、2)的记录层(7、12)及电介质层(6、11)(8、13),从而可减少生产时的损耗时间而制造单面多层结构的介质。 | ||
搜索关键词: | 信息 记录 介质 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种信息记录介质,其包含分别具有记录层的至少两个信息层,各记录层可生成能够进行光学检测的相变化,其中,在设接近光的入射侧的一方为信息层a、远离光的入射侧的一方为信息层b时,所述信息层a自接近光入射的一侧起,依次至少具有电介质层a1、记录层a、电介质层a2及反射层a,所述信息层b自接近光入射的一侧起,依次至少具有电介质层1b、记录层b、电介质层2b及反射层b,所述电介质层1a及2a与记录层a相接,且所述电介质层1b及2b与记录层b相接,所述电介质层1a及所述电介质层1b包含选自氧原子、氮原子及氟原子中的至少一种原子,且在包含氧原子时,包含选自Al、Si、Cr、Ta、Mo、W、Zr及Hf中的至少一种元素,在包含氮原子时,包含选自Al、B、Ge、Si、Ti及Zr中的至少一种原子,在包含氟原子时,包含选自Dy、Er、Eu、Ce、Bi及La中的至少一种元素,所述电介质层2a及所述电介质层2b包含选自Zr、Si、Cr、In、Ga及Hf中的至少一种元素及氧原子,所述电介质层1a的组成与所述电介质层1b的组成相同,所述记录层a的组成与所述记录层b的组成相同,且所述电介质层2a的组成与所述电介质层2b的组成相同。
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