[发明专利]半导体装置、模块以及电子设备无效
| 申请号： | 200680026692.0 | 申请日： | 2006-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101228778A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 山田宣幸 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N1/028 | 分类号： | H04N1/028 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过增大开关(SW2)中包含的MOS晶体管的栅极宽度，提高端子(T2)的电位与接地电位(或电源电位)之间的耐压。由此，即使在端子(T2)被施加了浪涌的情况下，也能够保护其他的开关(SW1)等。另外，由于通过增大开关(SW2)中包含的MOS晶体管的栅极宽度，而不必增大其他开关(SW1)的尺寸，所以可抑制其他开关(SW1)从导通状态变化到非导通状态时的节点(N3)上的电位的变动。由此，可提供对根据从外部接受的输入电位进行的处理不产生影响、且提高了静电耐压的半导体装置、具有多个这样的半导体装置的模块、以及具有这样的模块的电子设备。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 模块 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有：接受输入电位的输入端子；和转换电路，其接收第1信号并使其位移，且输出以上述输入电位为基准的第2信号，上述转换电路具有：电容器，连接在被输入上述第1信号的第1节点与输出上述第2信号的第2节点之间；第1开关，设在上述第2节点与中间节点之间；和第2开关，设在上述中间节点与上述输入端子之间，与上述第1开关一同导通。
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