[发明专利]正交磁通门磁场传感器无效
| 申请号： | 200680026869.7 | 申请日： | 2006-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101228453A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 帕维尔·凯吉克;奥扎格·佐尔鲁 | 申请（专利权）人： | 机电联合股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/04 | 分类号： | G01R33/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜娟 |
| 地址： | 瑞士普朗－*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 一种用于测量外部磁场Hext的正交磁通门传感器，包括：导体，用于携带励磁电流Iexc；可饱和磁性材料，适合于在由该励磁电流生成的磁场中饱和；以及至少一个拾取线圈，适合于检测在该磁性材料附近的磁场中的变化。该励磁导体包括导电的、非磁性材料的实质上线性延长部，其形成励磁杆(6)。该磁性材料以覆层(8)的形式围绕该励磁杆。 | ||
| 搜索关键词： | 正交 磁通门 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种用于测量外部磁场Hext的正交磁通门传感器，包括：导体，用于携带励磁电流Iexc；可饱和磁性材料，适合于在由该励磁电流生成的磁场中饱和；以及至少一个拾取线圈(10)，适合于检测在该磁性材料附近的磁场中的变化，其中该励磁导体包括导电的、非磁性材料的实质上线性延长部，其形成励磁杆(6)，该磁性材料以覆层(8)的形式围绕该励磁杆。
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