[发明专利]不触及金属层的接触熔断器有效
| 申请号： | 200680027301.7 | 申请日： | 2006-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101785092A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | R·L·皮茨;B·谢菲尔德;R·格瑞斯莫;J·麦克弗森 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/4763 | 分类号： | H01L21/4763 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;路小龙 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提出了一种半导体器件熔断器(100)，其包括金属层(105)和将金属层和熔断器层(115)电耦合起来的第一半导体层(110)，其中所述熔断器层与所述金属层隔离开。半导体器件熔断器进一步包括与熔断器层形成烧断接合界面(125)的第二熔断器层(120)。烧断接合界面被配置成当预定义功率通过第二半导体层传输到熔断器层时形成断路。 | ||
| 搜索关键词： | 触及 金属 接触 熔断器 | ||
【主权项】：
一种包括半导体器件熔断器的集成电路的制造方法，包括：在衬底上方形成第一和第二半导体层；在所述衬底上方沉积熔断器层，其中所述熔断器层的一部分在所述第一半导体层上，且所述熔断器层与所述第二半导体层形成烧断接合界面；以及在所述第一熔断器层上方沉积金属层，其中所述金属层通过所述第一半导体层电耦合所述熔断器层，且所述金属层与所述熔断器层分离；其中所述烧断接合界面被配置成当预定义功率通过所述第二半导体层传输到所述熔断器层时形成断路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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