[发明专利]薄膜电容器的制造方法

摘要

在本发明中，其目的在于提供一种薄膜电容器的制造方法，可同时实现钛酸钡锶薄膜的容量密度的提高以及泄漏电流密度的降低。在薄膜电容器制造方法中具有，烧成有机电介质原料而形成钛酸钡锶薄膜的金属氧化物薄膜形成工序，使烧成氛围为含氧不活泼气体氛围，而形成具有比在氧氛围中烧成的钛酸钡锶薄膜的容量密度大的容量密度的钛酸钡锶薄膜。

主权项

1.一种薄膜电容器的制造方法，其特征在于：包括如下工序：在基板上形成下部电极的下部电极形成工序；将含有Ba类有机电介质原料、Sr类有机电介质原料以及Ti类有机电介质原料的原料液涂布于所述下部电极的表面的原料涂布工序；对涂布于所述下部电极的表面的所述原料液中所含有的所述有机电介质原料进行烧成，而形成钛酸钡锶薄膜的金属氧化物薄膜形成工序；在所述钛酸钡锶薄膜的表面上形成上部电极的上部电极形成工序；其中，所述钛酸钡锶薄膜具有由组成式：(Ba1-xSrx)yTiO3 所表示的组成，其中，0＜x＜1；y≤1，且使在所述金属氧化物薄膜形成工序中的所述钛酸钡锶薄膜的烧成氛围为含氧不活泼气体氛围，形成钛酸钡锶薄膜，该钛酸钡锶薄膜具有比使烧成氛围为氧氛围而形成的钛酸钡锶薄膜的容量密度更大的容量密度。