[发明专利]光电子半导体芯片有效
| 申请号： | 200680027451.8 | 申请日： | 2006-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101233622A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 亚德里恩·阿夫拉梅斯库;福尔克尔·黑勒;卢茨·赫佩尔;马蒂亚斯·彼得;马蒂亚斯·扎巴蒂尔;乌韦·施特劳斯 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/343;H01S5/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李德山;李春晖 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本申请涉及一种光电子半导体芯片(20)，在半导体芯片(20)的生长方向(c)上具有以下顺序的区域：用于有源区(2)的p掺杂的阻挡层(1)；有源区(2)，其适合于产生电磁辐射，其中有源区基于六边形的化合物半导体；以及用于有源区(2)的n掺杂的阻挡层(3)。此外，本申请还涉及一种具有这种半导体芯片(20)的器件和一种用于制造这种半导体芯片(20)的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种光电子半导体芯片，朝着半导体芯片(20)的生长方向(c)具有以下顺序的区域：-用于有源区(2)的p掺杂的阻挡层(1)，-有源区(2)，其适合于产生电磁辐射，其中有源区基于六边形的化合物半导体，以及-用于有源区(2)的n掺杂的阻挡层(3)
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