[发明专利]微电子装置中的钴化学镀无效
| 申请号： | 200680027684.8 | 申请日： | 2006-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101238239A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 小文森特·帕纳卡西奥;陈青云;查尔斯·瓦沃尔德;尼古莱·帕特曼夫;克瑞斯蒂安·威特;理查德·赫图比斯 | 申请（专利权）人： | 恩索恩公司 |
| 主分类号： | C23C18/50 | 分类号： | C23C18/50 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁朝玉 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在微电子装置的制造中在金属基的基材上沉积Co或Co合金的化学镀方法和组合物，包括一种Co离子源，一种用于将沉积离子在基材上还原成金属的还原剂，及一种肟基化合物稳定剂。 | ||
| 搜索关键词： | 微电子 装置 中的 化学 | ||
【主权项】：
1. 一种在微电子装置制造中在基材上化学沉积Co或Co合金的方法，该方法包括：将基材与一种化学沉积组合物接触，该化学沉积组合物包括一种肟基化合物稳定剂和一种Co离子源。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
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