[发明专利]膜沉积第Ⅲ族氮化物如氮化镓的方法无效
| 申请号： | 200680027937.1 | 申请日： | 2006-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN101233602A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 长田贵弘;知京丰裕;上原刚 | 申请（专利权）人： | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/34;C23C16/509 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过使用常压等离子体形成第III族氮化物如GaN的薄膜。将反应室(12)充满在约40kPa的接近常压下的纯氮。将c－面蓝宝石衬底(90)置于电极(14)上。通过加热器(15)使衬底温度达到650℃。在电极(13，14)之间施加电场以形成放电空间(11a)。在气体进料系统(20)中，将少量三甲基镓加到N2中，将生成物进料到放电空间(11a)中并且使其与蓝宝石衬底(90)接触。使衬底(90)上的V/III比率处于10－100,000的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 氮化物 氮化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底上生长第III族氮化物的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：通过在处于接近常压的氮气氛下，在一对电极之间施加电场，形成放电空间；和使引入所述放电空间的氮和含有第III族金属的金属化合物接触所述衬底，以使V/III比率在10至100000的范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于积水化学工业株式会社，未经积水化学工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680027937.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
