[发明专利]二维四极离子阱有效
| 申请号： | 200680028082.4 | 申请日： | 2006-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN101238545A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·W·赛恩科;杰·C·施瓦兹 | 申请（专利权）人： | 塞莫费尼根股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J49/42 | 分类号： | H01J49/42 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 颜涛;霍育栋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种线性离子阱的孔设计，其中优化该孔以尽量减小可能的轴向场不均匀同时保持四极杆的结构整体性。一般地，本发明提供一种俘获随后发射离子的线性离子阱。该线性离子阱包括限定内阱体的多根杆，该内阱体具有纵向延伸的轴。一根或多根杆包括径向延伸通过杆且纵向延着杆延伸的孔。该孔配置为使得离子从内阱体通过该孔到达内阱体外部的区域。在孔附近设置至少一个槽，其沿着杆纵向延伸并且正对内阱体，该槽在径向上不延伸通过杆。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 离子 | ||
【主权项】：
1.一种线性离子阱，用于俘获并随后发射离子，包括：限定内阱体的多根杆，该内阱体具有纵向延伸的轴，一根或多根杆包括径向延伸通过杆的孔，该孔配置为使得离子能够从内阱体通过该孔到达内阱体外部的区域；以及在一根或多个杆中形成且在孔附近设置的至少一个槽，其沿着杆纵向延伸，朝内阱体开口，所述槽不在径向上延伸通过杆。
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