[发明专利]使用氟化硫从CVD/PECVD腔的内部除去表面沉积物的远程腔方法无效
| 申请号： | 200680028543.8 | 申请日： | 2006-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101238238A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | B·白;H·H·萨温 | 申请（专利权）人： | 麻省理工学院 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/452;C23C16/455;B08B7/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹雪梅;范赤 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及改进的远程等离子体清洗方法，用于从表面除去表面沉积物，例如除去用于制造电子设备的加工腔内部的表面沉积物。所述改进包括向含有氧源和氟化硫的供给气体混合物中加入氮源。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 氟化 cvd pecvd 内部 除去 表面 沉积物 远程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种除去表面沉积物的方法，所述方法包括：(a)在远程腔内对含有氧源、氟化硫和氮源的气体混合物进行活化并形成活化的气体混合物，以及，然后(b)使所述活化的气体混合物接触表面沉积物而除去至少一些所述表面沉积物。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
