[发明专利]场效应晶体管、具备该场效应晶体管的生物传感器及检测方法有效
申请号: | 200680028654.9 | 申请日: | 2006-06-13 |
公开(公告)号: | CN101287986A | 公开(公告)日: | 2008-10-15 |
发明(设计)人: | 武笠幸一;末冈和久;武田晴治;服部聪史;山田良树;泽村诚;尾崎弘一;石井睦;中村基训;细井浩贵 | 申请(专利权)人: | 三美电机株式会社;武笠幸一;末冈和久;土方健二;株式会社SC技术 |
主分类号: | G01N27/00 | 分类号: | G01N27/00;G01N27/414;H01L29/06;H01L29/786 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张平元 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明关于以碳纳米管等超细纤维体作为沟道的高灵敏度的场效应晶体管、以及使用此场效应晶体管的生物传感器。本发明的场效应晶体管包括:衬底;配置于上述衬底上的源电极以及漏电极;将上述源电极与漏电极电性连接的沟道;及使上述衬底产生因自由电子移动导致的极化的栅电极。例如,上述衬底包括:由半导体或金属构成的支持衬底、形成于上述支持衬底的第一面的第一绝缘膜,及形成于上述支持衬底的第二面的第二绝缘膜;将上述源电极、漏电极以及沟道配置于上述第一绝缘膜上;将上述栅极电极配置于上述第二绝缘膜上。 | ||
搜索关键词: | 场效应 晶体管 具备 该场 效应 生物 传感器 检测 方法 | ||
【主权项】:
1.一种场效应晶体管,其包括:衬底,配置于上述衬底上的源电极以及漏电极,将上述源电极与漏电极电性连接的沟道,以及控制在上述沟道中流通的电流的栅电极;其中,上述沟道包含超细纤维体;上述栅电极使上述衬底产生由自由电子移动所导致的极化。
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