[发明专利]带有介电间隔环的边缘环组件有效
| 申请号： | 200680028968.9 | 申请日： | 2006-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101238553A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 杰里米·张;安德烈亚斯·菲舍尔;巴巴克·卡德库达彦 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 边缘环组件围绕等离子体蚀刻室中基片支撑件表面。该边缘环组件包括边缘环和介电间隔环。该介电间隔环围绕该基片支撑件表面并且在径向方向上被该边缘环围绕，该介电间隔环配置为将该边缘环与该基板绝缘。围绕该基片支撑件表面整合该边缘环组件可降低在基片下侧和沿该基片边缘的聚合物堆积，并可增加基片的等离子体蚀刻均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 间隔 边缘 组件 | ||
【主权项】：
1.一种边缘环组件，其适于围绕在等离子体蚀刻室中的基片支撑件表面，所述边缘环组件包括：边缘环，其尺寸适于位于设在所述室内的基片支撑件表面上的基片之下，并提供在所述基片的下表面和所述边缘环的上表面之间的隙距；以及在所述边缘环和所述基片支撑件表面之间的介电间隔环，所述介电间隔环的尺寸适于在位于所述基片支撑件表面上的基片的下表面和所述介电间隔环的上表面之间提供隙距。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
