[发明专利]可变电阻元件和其制造方法以及具备其的存储装置有效
申请号: | 200680029245.0 | 申请日: | 2006-07-21 |
公开(公告)号: | CN101238582A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | 细井康成 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;H01L49/00;H01L45/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳;刘宗杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 可变电阻元件具备第1电极、第2电极和可变电阻体,该可变电阻体存在于被第1电极和第2电极所夹持的区域中,通过对两电极之间施加电压脉冲从而使电阻变化,在该可变电阻元件中,存在作为电极材料必须使用贵金属电极的制约,有与以往的CMOS工艺的匹配性差的问题。在将过渡金属元素的氧氮化物作为可变电阻体而应用的可变电阻元件中,显示了稳定的转换动作,数据的保持特性良好,写入电流也小。此外,因为作为电极材料并不一定需要贵金属,所以与现有的CMOS工艺的匹配性高且能够容易制造。此外,能够通过氧化由导电性氮化物构成的下部电极表面使可变电阻体材料成膜的简便的工序形成可变电阻元件。 | ||
搜索关键词: | 可变 电阻 元件 制造 方法 以及 具备 存储 装置 | ||
【主权项】:
1.一种可变电阻元件,具备第1电极、第2电极和可变电阻体,上述可变电阻体存在于被上述第1电极和上述第2电极所夹持的区域中,通过对上述第1电极和上述第2电极之间施加电压脉冲,从而使上述第1电极和上述第2电极之间的电阻变化,其特征在于,上述可变电阻体是过渡金属元素的氧氮化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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