[发明专利]背面到正面的通道工艺有效
| 申请号： | 200680029335.X | 申请日： | 2006-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN101553906A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 约翰·特雷扎 | 申请（专利权）人： | 确比威华有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/4763 | 分类号： | H01L21/4763 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 傅强国 |
| 地址： | 美国新罕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在包含邻接衬底的掺杂半导体材料的半导体芯片上所执行的方法，该方法包含：创建至少穿透部分衬底的第一通道，所述通道朝向所述掺杂半导体材料，从所述衬底的外侧延伸到所述衬底中，所述第一通道具有壁表面和底部；将第一导电材料引入所述第一通道中，从而创建导电通路；创建与所述第一通道对齐的第二通道，所述通道从所述半导体芯片的掺杂部分的外表面延伸到所述底部；以及将第二导电材料引入到所述第二通道中，从而创建导电通路。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 正面 通道 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种在包含邻接衬底的掺杂半导体材料的半导体芯片上所执行的方法，其特征在于，所述方法包含：a)创建至少穿透部分衬底的第一通道，所述通道朝向所述掺杂半导体材料，从所述衬底的外侧延伸到所述衬底中，所述第一通道具有壁表面和底部；b)将第一导电材料引入所述第一通道中，从而在所述衬底的外侧和底部之间创建导电通路；c)在“b)”之后，创建与所述第一通道对齐的第二通道，所述通道从所述半导体芯片的掺杂部分的外表面延伸到所述底部；以及d)将第二导电材料引入到所述第二通道中，从而创建导电通路，所述导电通路从所述衬底的外侧延伸到所述半导体芯片参杂部分的外表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
