[发明专利]用于形成光刻工艺的焦点曝光模型的系统和方法

摘要

公开了一种用于形成光刻工艺的焦点曝光模型的系统和方法。所述系统和方法采用沿着参数变化的多个维度的校准数据，尤其是在曝光离焦工艺窗口空间内。所述系统和方法提供一组统一的模型参数值，所述模型参数值导致在名义上的工艺条件下的模拟的更好的精确度和鲁棒性，以及预见在对于不同的设定不需要重新校准的情况下的在遍及整个工艺窗口区段的连续的任何点上的光刻性能。在比现有技术的多模型校准需要更少的测量的情况下，离焦曝光模型提供更有预见性和更有鲁棒性的参数值，所述参数值可以被用于工艺窗口中的任何位置上。

主权项

1.一种用于形成光刻工艺的焦点曝光模型的方法，包括：选择光刻工艺模型，所述模型包括光学模型模块，所述模型包括一组模型参数，所述模型参数包括焦点、曝光以及一组具有可变数值的拟合参数；将光刻工艺的工艺窗口限定在焦点曝光空间中；为所述模型选择一组初始拟合参数值；在工艺窗口内选择多个采样位置，所述多个采样位置包括名义上的条件，并成为在工艺窗口内的所有可能的工艺条件的子集；在保持所述初始拟合参数值恒定的同时，通过以变化的与工艺窗口内的多个采样位置相对应的焦点和曝光数值模拟光刻工艺，采用具有所述初始拟合参数组的模型，在工艺窗口内的多个采样位置中的每个上生成光刻工艺的模拟结果；将在工艺窗口内的多个采样位置中的每一个位置处的光刻工艺的模拟结果与实际结果进行比较，以在所有的多个采样位置上产生模拟结果和实际结果之间的总差别测量；修改所述拟合参数数值组，并在所述工艺窗口内的多个采样位置中的每一个上生成附加的模拟结果，以识别优化的拟合参数值，以使得采用优化的拟合参数值所产生的在实际结果和模拟结果之间的总差别测量被最小化，或者在预定的阈值以下；以及将焦点曝光模型限定为包括优化的拟合参数值的模型，所述焦点曝光模型能够模拟在整个工艺窗口内的任何位置上的光刻工艺。