[发明专利]非DRAM指示符和存取未存储于DRAM阵列中的数据的方法有效
| 申请号： | 200680030123.3 | 申请日： | 2006-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101243420A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·迈克尔·沃克 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在与针对DRAM阵列中的数据的SDRAM读取和写入循环无缝交替的同步读取循环中，从SDRAM读取未存储于所述SDRAM模块的所述DRAM阵列中的数据，例如温度传感器的输出。针对所有读取循环维持控制信息，所述控制信息在数据未存储于DRAM阵列中的情况下包括非DRAM指示符。将存储于DRAM阵列中的返回数据和未存储于DRAM阵列的数据一起进行缓冲。当从所述缓冲器提取读取数据时，未存储于DRAM阵列中的数据由所述非DRAM指示符识别且被引导到所述控制器内的电路。当未存储于所述DRAM阵列中的数据指示SDRAM电路小片的温度时，所述控制器可响应于所述温度来调整刷新速率。 | ||
| 搜索关键词： | dram 指示 存取 存储 阵列 中的 数据 方法 | ||
【主权项】：
1.一种控制一个或一个以上SDRAM模块的方法，其包含：对SDRAM模块执行一个或一个以上同步读取循环来存取未存储于所述SDRAM模块的DRAM阵列中的数据：将针对未存储于DRAM阵列中的数据的每一读取循环与非DRAM指示符相关联；以及在从SDRAM模块接收到所述未存储于DRAM阵列中的数据之后，响应于所述非DRAM指示符来识别所述未存储于DRAM阵列中的数据。
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