[发明专利]非易失性存储单元的编程有效
| 申请号： | 200680030563.9 | 申请日： | 2006-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN101243520A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 克雷格·A·卡文斯;马丁·L·尼塞;劳伦·H·帕克 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;黄启行 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于对非易失性存储(NVM)单元(110)编程的方法，包括向在读期间用作源极的电流电极(118)施加渐增的电压。初始的编程源极电压导致相对较少量的电子注入存储层。由于相对低的初始电平，减少了横跨栅极电介质的垂直场。由于建立减少垂直场的场的存储层中的电子，源极电压的随后增加并不显著地提高垂直场。随着在编程中对栅极电介质的危害减少，改进了NVM单元的持久性。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 单元 编程 | ||
【主权项】：
1.一种对非易失性存储(NVM)单元编程的方法，所述非易失性存储单元包括在读操作期间用作源极的第一电流电极、在读操作期间用作漏极的第二电流电极、以及用作偏置栅极的控制电极，所述方法包括：向所述第一电流电极施加第一编程电压；在施加所述第一编程电压之后，向所述第一电流电极施加第二编程电压，其中所述第二编程电压大于所述第一编程电压；以及在施加所述第一编程电压的步骤期间，向所述控制电极施加编程电压，以及在施加所述第二编程电压的步骤期间，向所述控制电极施加编程电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司，未经飞思卡尔半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680030563.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多媒体文件的播放方法及装置
- 下一篇：一种组件管理的方法和装置
