[发明专利]间歇性蚀刻冷却有效
| 申请号： | 200680030901.9 | 申请日： | 2006-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101558477A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 凯尔·S·勒布伊茨;大卫·L·斯伯英格尔 | 申请（专利权）人： | 埃克提斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;C03C15/00 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 朦;方 挺 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在气相蚀刻的设备和方法中，被蚀刻的样品(S)被置于主腔(107)内，其中空气从该主腔中排出。蚀刻气体在第一时间段内被输入到主腔(107)内。随后，蚀刻气体从主腔(107)内排出，并且冷却/清除气体在第二时间段内被输入到主腔内。之后，该冷却/清除气体从主腔(107)中排出。期望地，重复以下步骤：在第一时间段内将蚀刻气体输入主腔(107)，将蚀刻气体排出主腔，在第二时间段内将冷却/清除气体输入主腔(107)，以及将冷却/清除气体排出主腔，直至样品被蚀刻到期望的程度。 | ||
| 搜索关键词： | 间歇性 蚀刻 冷却 | ||
【主权项】：
1.一种气相蚀刻方法，包括：(a)将要蚀刻的样品放入主腔内；(b)将所述主腔内的空气从中排出；(c)将蚀刻气体输入所述主腔；(d)将所述蚀刻气体从所述主腔中排出；(e)将冷却/清除气体输入所述主腔；并且(f)将所述冷却/清除气体从所述主腔中排出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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