[发明专利]SiGe异质结双极晶体管中的迁移率增强

摘要

本发明涉及具有其中有含SiGe层的基极区域的高效异质结双极晶体管(HBT)。含SiGe层不超过约100nm厚并具有预定的临界锗含量。含SiGe层还具有不小于预定临界锗含量的80％的平均锗含量。本发明还涉及提高具有含SiGe层基极层的HBT中的载流子迁移率的方法，该方法通过均匀增加基极层中的锗含量使得其中的平均锗含量不小于临界锗含量的80％，临界锗含量是基于基极层的厚度计算的，假设基极层不大于100nm厚。

主权项

1.一种异质结双极晶体管，包括集电极区域、基极区域、非本征基极区域、以及发射极区域，其中所述基极区域包括含SiGe层，其中所述含SiGe层具有不大于约100nm的厚度和与所述厚度相关的预定临界锗含量，以及其中所述含SiGe层具有不小于预定临界锗含量的约80％的平均锗含量的锗含量分布。