[发明专利]用于连续制备高纯度四氯化硅或高纯度四氯化锗的反应器、设备和工业方法有效
| 申请号： | 200680031388.5 | 申请日： | 2006-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101282906A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | J·兰;R·尼古莱;H·劳尔德 | 申请（专利权）人： | 赢创德固赛有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/00 | 分类号： | C01B33/00;B01J19/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温宏艳;韦欣华 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制备高纯度四氯化硅或高纯度四氯化锗的反应器、设备和在其中进行的连续工业方法，其中所述制备是通过以冷等离子体处理被至少一种含氢化合物污染的待精制四氯化硅或四氯化锗并通过分馏从得到的处理过的相中分离精制的高纯度四氯化硅或四氯化锗来实现的，其中所述处理在等离子体反应器(4)中进行，在此等离子体反应器(4)中电介质(4.4)、高压电极(4.3)和接地的金属热交换器(4.2)的纵轴彼此平行取向并同时平行于重力的方向矢量取向。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 连续 制备 纯度 氯化 反应器 设备 工业 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理被至少一种含氢化合物污染的四氯化硅或四氯化锗的反应器，其中等离子体反应器(4)基于反应器外壳、高压电源和至少一个用于等离子体处理的微单元，其中此微单元主要由接地的金属热交换器(4.2)、电介质(4.4)、多孔板、网格或网孔(4.1)以及高压电极(4.3)构成，且电介质(4.4)、高压电极(4.3)和接地的金属热交换器(4.2)的纵轴彼此平行并同时平行于重力的方向矢量取向。
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