[发明专利]晶体管、有机半导体元件及它们的制造方法无效

专利信息
申请号: 200680031983.9 申请日: 2006-08-30
公开(公告)号: CN101253610A 公开(公告)日: 2008-08-27
发明(设计)人: 山手信一 申请(专利权)人: 住友化学株式会社
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/40
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 孙秀武;李平英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于提供即便是含有预先赋予了规定特性的有机半导体化合物的活性层,也可以良好地形成于应该形成该活性层的面上的晶体管或有机半导体元件的制造方法。优选实施方式的晶体管的制造方法为具有源极和漏极、成为这些电极间的电流通路且含有有机半导体化合物的活性层、控制通过电流通路的电流的栅极、以及配置在活性层和栅极之间的绝缘层的晶体管的制造方法,其包括在活性层和绝缘层之间存在施工液,将活性层和绝缘层粘贴的粘贴工序。
搜索关键词: 晶体管 有机半导体 元件 它们 制造 方法
【主权项】:
1.晶体管的制造方法,其为具有源极和漏极、成为这些电极间的电流通路且含有有机半导体化合物的活性层、控制通过所述电流通路的电流的栅极、以及配置在所述活性层和所述栅极之间的绝缘层的晶体管的制造方法,其包括:在所述活性层和所述绝缘层之间存在施工液,将所述活性层和所述绝缘层粘贴的粘贴工序。
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