[发明专利]基于硅和氟化钙的结合的半导体光源无效
| 申请号： | 200680032380.0 | 申请日： | 2006-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101305505A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 陈亦凡 | 申请（专利权）人： | 朗迅科技公司 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种光源基于硅和氟化钙(CaF2)的结合。硅和氟化钙不需要是纯的，而是可以对其进行掺杂，或者甚至可使其形成合金，从而控制它们的电学和/或物理特性。优选地，该光源利用硅和氟化钙的例如被布置为多层结构的交织部分，并且该光源利用导带中的子带间跃迁来工作，从而发射近红外光谱范围内的光。该光源可被布置为形成量子级联激光器、环形谐振腔激光器和波导光放大器。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氟化钙 结合 半导体 光源 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括硅(Si)和氟化钙(CaF2)，该半导体结构可作为光源来工作。
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