[发明专利]功率场效应晶体管及其制造方法有效

申请号：	200680032632.X	申请日：	2006-07-07
公开（公告）号：	CN101258582A	公开（公告）日：	2008-09-03
发明（设计）人：	M·G·萨乔;F·弗里西纳	申请（专利权）人：	意法半导体股份有限公司
主分类号：	H01L21/04	分类号：	H01L21/04;H01L29/78;H01L29/24;H01L29/423;H01L21/265
代理公司：	中国专利代理(香港)有限公司	代理人：	王庆海;张志醒
地址：	意大利***	国省代码：	意大利;IT
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摘要：	一种在包括宽带隙表面半导体层(11)的宽带隙半导体衬底(10)上制造垂直功率MOS晶体管的方法，该方法包括步骤：在所述表面半导体层(11)上形成掩蔽结构(12)，包括只是一个介电层(12)，进行第一类型掺杂剂的至少一次第一离子注入以形成至少一个深注入区域(14a)，进行第一类型掺杂剂的至少一次第二离子注入以形成所述MOS晶体管的至少一个注入主体区(16)，该注入主体区(16)与所述深注入区域(14a)对准，该方法包括对第一类型和第二类型掺杂剂进行1－14低热预算的激活热处理，用于完成主体区(16)和深注入区域(14a)的形成。
搜索关键词：	功率场效应晶体管及其制造方法
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【主权项】：

1.一种在包括宽带隙表面半导体层(11)的宽带隙半导体衬底(10)上制造垂直功率MOS晶体管的方法，该方法包括步骤：在所述表面半导体层(11)上形成掩蔽结构(12)，该掩蔽结构使所述表面半导体层(11)的多个区域露出，对所述表面半导体层(11)进行第一类型掺杂剂的至少一次第一离子注入，以形成至少一个深注入区域(14a)，对所述表面半导体层(11)进行第一类型掺杂剂的至少一次第二离子注入，以形成所述MOS晶体管的至少一个注入主体区(16)，该注入主体区(16)与所述深注入区域(14a)对准，对所述表面半导体层(11)进行至少第二类型掺杂剂的至少一次离子注入，以形成在所述至少一个注入主体区(16)内的所述MOS晶体管的至少一个注入源区(18)，该方法的特征在于，它包括对第一类型和第二类型的掺杂剂进行低热预算的激活热处理，该激活热工艺用于完成所述至少一个主体区(16)、所述至少一个源区(18)和所述深注入区域(14a)的形成。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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