[发明专利]半导体器件测试装置以及供电单元无效
| 申请号： | 200680032909.9 | 申请日： | 2006-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN101258416A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 谷冈道修;星野茂树;田浦彻 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G01R31/312 | 分类号： | G01R31/312;G01R1/067 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;谷惠敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明的半导体器件测试装置具有测试LSI；供电单元；和用于连接测试LSI、供电单元和测试器的中间基板。测试LSI具有测试电路和波形整形电路；介电材料层，其被设置成面对待测试的半导体器件；电极，其被设置在属于介电材料层、并且面对待测试的半导体器件的平面上，与待测试半导体器件的外部端子电极的位置对应的位置中；和第一穿透电极，其穿过介电材料层，连接到电极，用于与外部之间发送和接收信号。供电单元具有独立的弹性探针，该弹性探针被设置在与待测试半导体器件的电源电极对应的位置中，并且在其末端处提供有金属突起；基板材料，其被电连接到探针且具有第一布线层；和穿过该基板的第二穿透电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 测试 装置 以及 供电 单元 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件测试装置，包括：测试LSI；供电单元；和中间基板，其被提供用于使所述测试LSI、与所述供电单元和测试器之间存在连接；所述测试LSI具有测试电路和波形整形电路，被设置成面对被测试半导体器件的介电材料层，被设置在面对所述被测试半导体器件的介电材料层的表面上的、与所述被测试半导体器件的外部端子电极的位置对应的位置中的电极，和第一穿透电极，所述第一穿透电极完全穿过所述介电材料层、连接到所述电极、并用于与外部交换信号；和所述供电单元具有相互独立的弹性探针、基板和穿过该基板的第二穿透电极，所述弹性探针被设置在与所述被测试半导体器件的供电电极对应的位置中、并在其末端处提供有金属突起，所述基板电连接到探针、并在其上形成有第一布线层。
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