[发明专利]具有三（二甲基酰胺）硅烷的硅酸铪材料的气相沉积无效
| 申请号： | 200680033018.5 | 申请日： | 2006-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101258586A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | S·穆图克里希南;T·戈亚尼;R·谢芮哥潘尼;S·S·凯尔;P·K·那瓦卡;K·Z·阿哈穆德;Y·马 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C30B29/54;C30B29/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的一实施例是提供一种形成形态稳定的介质材料的方法，包括：在化学气相沉积(CVD)制程中将基材暴露于一铪前驱物、一硅前驱物以及一氧化气体，以形成硅酸铪材料；接着，可选择性地将基材暴露于沉积后的退火制程、氮化制程及热退火制程。于一实验例中，金属有机CVD(MOCVD)制程中所使用的铪前驱物及硅前驱物为烷基酰胺化合物，例如：四(二乙基酰胺)铪(TDEAH)及三(二甲基酰胺)硅烷(Tris－DMAS)。于其他实施例中，可使用其他金属前驱物而形成含有钽、钛、铝、锆、镧及其混合物的多种硅酸金属盐。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 甲基 硅烷 硅酸 材料 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种于基材上形成介质材料的方法，包括：将该基材暴露于含有烷基酰胺铪前驱物、烷基酰胺硅前驱物以及氧化气体的沉积气体中，以将硅酸铪材料沉积于该基材上；使该基材暴露于氮化等离子制程，以在该基材上形成一氮氧化硅铪层；以及使该基材暴露于热退火制程以形成介质材料。
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