[发明专利]在发光区域中具有横向电流注入的半导体发光器件有效
| 申请号： | 200680033659.0 | 申请日： | 2006-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101263615A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | J·C·金;S·A·斯托克曼 | 申请（专利权）人： | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李静岚;谭祐祥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体发光器件，包括有源区、n型区和p型区，p型区包括延伸到有源区中的部分。有源区可以包括由阻挡层隔开的多个量子阱，并且p型延伸部分穿透至少一个量子阱层。延伸到有源区中的p型区的延伸部分可以通过提供到各个量子阱中的直接电流路径来提供有源区的各个量子阱中的载流子的均匀填充。该均匀填充可以通过减少与体p型区最接近的量子阱中的载流子密度而改善高电流密度下的操作效率，由此减少无辐射复合损失的载流子数目。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 区域 具有 横向 电流 注入 半导体 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，包括：n型区；有源区，其被配置为发射光；和p型区，其中所述p型区包括至少一个延伸部分，其延伸到有源区中。
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