[发明专利]氮化物系半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200680034270.8 | 申请日： | 2006-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN101268560A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 大泽弘;程田高史 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供支持基板的强度特性优异，并且来自该支持基板的反射光少的、提高了光获取效率的半导体元件及其制造方法。本发明的构成为：在基板上按顺序至少层叠n型半导体层、发光层、p型半导体层、金属膜层、镀覆金属板而成的氮化物系半导体发光元件中，所述金属膜层和所述镀覆金属板部分地形成于所述p型半导体层上。或者，本发明的构成为：在按顺序至少层叠n型半导体层、发光层、p型半导体层、金属膜层、金属板而成的结构中，所述金属膜层和所述镀覆金属板部分地形成于所述p型半导体层上，在所述p型半导体层上的没有形成所述金属膜层和所述镀覆金属板的部分上形成有透光性物质层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物系半导体发光元件，是在基板上至少层叠n型半导体层、发光层、p型半导体层、金属膜层、镀覆金属板而成的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述金属膜层和所述镀覆金属板部分地形成于所述p型半导体层上。
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