[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体发光器件有效
| 申请号： | 200680034699.7 | 申请日： | 2006-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN101268562A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 织地学;龟井宏二;三木久幸;松濑朗浩 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明旨在提高Ⅲ族氮化物半导体发光器件的光提取效率。本发明的Ⅲ族氮化物半导体发光器件包括：衬底；以及层叠在所述衬底上的包括发光层的Ⅲ族氮化物半导体层，其中所述Ⅲ族氮化物半导体层的侧面相对于所述衬底的主表面的法线倾斜。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物半导体发光器件，包括：衬底；以及层叠在所述衬底上的包括发光层的III族氮化物半导体层，其中所述III族氮化物半导体层的侧面相对于所述衬底的主表面的法线倾斜。
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