[发明专利]减少来自红外辐射的图像伪影的背面硅晶片设计有效

专利信息
申请号: 200680034837.1 申请日: 2006-07-27
公开(公告)号: CN101268552A 公开(公告)日: 2008-09-17
发明(设计)人: 根纳季亚·A·阿格拉诺夫;伊戈尔·卡拉肖夫 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L31/0236
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 王允方
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明揭示具有减少的图像伪影的成像装置。通过使穿过所述成像装置的IR辐射改变方向、吸收所述IR辐射或使所述IR辐射散射以避免光在衬底的背面上反射并累积在暗像素中,来减少所述成像装置中的所述图像伪影。
搜索关键词: 减少 来自 红外 辐射 图像 背面 晶片 设计
【主权项】:
1.一种成像器,其包括:像素传感器单元阵列,其包括形成于衬底的第一表面处的多个像素单元,所述像素单元包含成像像素单元和暗电流像素单元;以及层,其形成于所述衬底的第二表面上,用于减少从所述第二表面反射回所述暗电流像素单元的光的量。
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