[发明专利]用于铁电薄膜装置的钝化结构有效
申请号: | 200680034918.1 | 申请日: | 2006-09-12 |
公开(公告)号: | CN101288183A | 公开(公告)日: | 2008-10-15 |
发明(设计)人: | 俪云·V·陈 | 申请(专利权)人: | 安捷尔射频公司 |
主分类号: | H01L31/062 | 分类号: | H01L31/062 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孟锐 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明描述铁电薄膜装置,其包含钝化结构以减少或控制两个电极之间且沿着铁电薄膜层与钝化层之间的界面的泄漏路径。本发明还揭示用于制造所述装置的方法。所述钝化结构包含第一钝化层(140,图2),其包含开口(205),所述开口暴露所述铁电薄膜层(125)的一部分从而允许第二钝化层(145)通过所述开口接触所述薄膜层(125)。在示范性实施例中,所述开口是围绕电容器的有源区的矩形环(505,图6D)。在另一示范性实施例中,所述第二钝化层还接触第二电极,所述第二电极的一部分也通过所述开口暴露。在另一示范性实施例中,电流在集成电阻器(975,图9A)中沿着所述薄膜层与所述钝化层之间的界面流动。 | ||
搜索关键词: | 用于 薄膜 装置 钝化 结构 | ||
【主权项】:
1.一种铁电薄膜装置,所述装置包括:衬底;第一电极,其集成在所述衬底上;铁电薄膜介电层,其接触所述第一电极;第二电极,其接触所述介电层;第一钝化层,其上覆于所述第一电极、所述介电层和所述第二电极上,其中所述第一钝化层进一步包括沿着所述第一电极与所述第二电极之间的路径暴露所述介电层的一部分的开口,所述路径沿着所述介电层的表面延伸;以及第二钝化层,其通过所述开口接触所述介电层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安捷尔射频公司,未经安捷尔射频公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680034918.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的