[发明专利]用于铁电薄膜装置的钝化结构有效

专利信息
申请号: 200680034918.1 申请日: 2006-09-12
公开(公告)号: CN101288183A 公开(公告)日: 2008-10-15
发明(设计)人: 俪云·V·陈 申请(专利权)人: 安捷尔射频公司
主分类号: H01L31/062 分类号: H01L31/062
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 孟锐
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明描述铁电薄膜装置,其包含钝化结构以减少或控制两个电极之间且沿着铁电薄膜层与钝化层之间的界面的泄漏路径。本发明还揭示用于制造所述装置的方法。所述钝化结构包含第一钝化层(140,图2),其包含开口(205),所述开口暴露所述铁电薄膜层(125)的一部分从而允许第二钝化层(145)通过所述开口接触所述薄膜层(125)。在示范性实施例中,所述开口是围绕电容器的有源区的矩形环(505,图6D)。在另一示范性实施例中,所述第二钝化层还接触第二电极,所述第二电极的一部分也通过所述开口暴露。在另一示范性实施例中,电流在集成电阻器(975,图9A)中沿着所述薄膜层与所述钝化层之间的界面流动。
搜索关键词: 用于 薄膜 装置 钝化 结构
【主权项】:
1.一种铁电薄膜装置,所述装置包括:衬底;第一电极,其集成在所述衬底上;铁电薄膜介电层,其接触所述第一电极;第二电极,其接触所述介电层;第一钝化层,其上覆于所述第一电极、所述介电层和所述第二电极上,其中所述第一钝化层进一步包括沿着所述第一电极与所述第二电极之间的路径暴露所述介电层的一部分的开口,所述路径沿着所述介电层的表面延伸;以及第二钝化层,其通过所述开口接触所述介电层。
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