[发明专利]可再生电阻可变绝缘存储器装置及其形成方法有效
| 申请号： | 200680035224.X | 申请日： | 2006-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101288187A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 刘军 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及在电阻可变存储器装置(301)中使用成形底部电极。所述优选锥状的成形底部电极(308)确保所述底部电极的尖端处的绝缘材料(312)的厚度最薄，从而在所述底部电极的所述尖端处产生最大电场。电极(308、310)的配置和存储器元件的结构使得有可能在所述存储器装置中产生具有稳定、一致且可再生切换以及记忆特性的导电路径。 | ||
| 搜索关键词： | 再生 电阻 可变 绝缘 存储器 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器元件，其包括：衬底；第一电极，其形成在所述衬底上，所述第一电极的第一端大于所述第一电极的第二端；第二电极；以及电阻可变绝缘层，其在所述第一与第二电极之间。
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