[发明专利]位置传感器的不对称AMR惠斯通电桥布局有效
| 申请号： | 200680035240.9 | 申请日： | 2006-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN101273247A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | N·F·布施 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | G01D5/16 | 分类号： | G01D5/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;王小衡 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种磁性传感器包括：设置在目标附近的磁体，所述目标包括多个齿和在它们之间形成的多个槽。集成电路总体上被设置在磁体的一侧，其中所述集成电路包括多个不对称布置的磁阻桥组件，其中所述集成电路和磁体被配置到传感器包装件中，以使所述多个不对称布置的磁阻桥组件实现对多个目标齿之中的至少一个齿的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 位置 传感器 不对称 amr 斯通 电桥 布局 | ||
【主权项】：
1.一种磁性传感器，包括：设置在目标附近的磁体，所述目标包括多个齿和在它们之间形成的多个槽；集成电路，设置在所述磁体的侧边，其中所述集成电路包括多个不对称布置的磁阻桥组件，其中所述集成电路和所述磁体被配置到传感器包装件中，以使所述多个不对称布置的磁阻桥组件实现对所述目标的所述多个齿之中的至少一个齿的检测。
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