[发明专利]Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体的制造方法和发光器件的制造方法有效
| 申请号： | 200680035398.6 | 申请日： | 2006-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101283456A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 山中贞则;上田和正;土田良彦 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C23C16/34;H01L21/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种III－V族氮化物半导体的制造方法和发光器件的制造方法。III－V族氮化物半导体的制造方法按顺序包括工序(i)、(ii)和(iii)。发光器件的制造方法按顺序包括工序(i)、(ii)、(iii)和(iv)。各工序为：(i)在基板上配置无机粒子的工序，(ii)使半导体层生长的工序，(iii)向基板与半导体层之间照射光，将基板与半导体层分离的工序，以及(iv)形成电极的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 制造 方法 发光 器件 | ||
【主权项】：
1. 一种III-V族氮化物半导体的制造方法，其特征在于，依次包括工序(i)、(ii)和(iii)，(i)在基板上面配置无机粒子的工序；(ii)使半导体层生长的工序；以及(iii)向基板与半导体层之间照射光，将基板与半导体层分离的工序。
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