[发明专利]基于finFET的非易失性存储器有效
| 申请号： | 200680035421.1 | 申请日： | 2006-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101273440A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 皮埃尔·戈阿兰 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/788;H01L29/792;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种位于衬底层(2)上的非易失性存储器，包括源和漏区(3)以及沟道区(4)。所述源和漏区(3)以及所述沟道区(4)设置在所述衬底层(2)上的半导体层(20)中。沟道区(4)呈鳍状，在源和漏区(3)之间纵向(X向)地延伸。沟道区(4)包括两个鳍部分(4a，4b)以及鳍内间隔(10)，所述鳍部分(4a、4b)沿纵向(X向)延伸并且间隔开，所述鳍内间隔(10)位于所述鳍部分(4a、4b)之间；以及电荷存储区(11，12；15，12)位于鳍部分(4a，4b)之间的鳍内间隔(10)中。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 finfet 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种位于衬底层(2)上的非易失性存储器，包括源和漏区(3)以及沟道区(4)；所述源和漏区(3)以及所述沟道区(4)设置在所述衬底层(2)上的半导体层(20)中；沟道区(4)呈鳍状，在源和漏区(3)之间纵向(X)地延伸；其中，沟道区(4)包括两个鳍部分(4a，4b)以及鳍内间隔(10)，所述鳍部分(4a、4b)沿纵向(X)延伸并且间隔开，所述鳍内间隔(10)位于所述鳍部分(4a、4b)之间；以及电荷存储区(11，12；15，12)位于鳍部分(4a，4b)之间的鳍内间隔(10)中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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