[发明专利]发光元件搭载用陶瓷烧结体无效
| 申请号： | 200680035533.7 | 申请日： | 2006-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101272997A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 菅原研;三锅雄一郎;米田武彦;有行正男 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | C04B35/111 | 分类号： | C04B35/111;C04B35/581;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光元件搭载用陶瓷烧结体，其由如下所述的陶瓷烧结体形成：其具有光反射面，该光反射面对250nm～750nm的范围的各波长的光的反射率为70％以上，在将对750nm的光的反射率设为RA％、对300nm的光的反射率设为RB％时，成立|RA－RB|≤20的关系，并且按照基于JIS H8504(1990)的带试验的方法对该光反射面进行带剥离试验时，不具有从该面剥离的层。通过该发光元件搭载用陶瓷烧结体，从紫外线区域到可见光区域整个区域的光反射率高。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 搭载 陶瓷 烧结 | ||
【主权项】：
1.发光元件搭载用陶瓷烧结体，其由如下所述的陶瓷烧结体形成：其具有光反射面，该光反射面对250nm～750nm的范围的各波长的光的反射率为70％以上，在将对750nm的光的反射率设为RA％、对300nm的光的反射率设为RB％时，成立下式(1)的关系，|RA-RB|≤20(1)并且，按照基于JIS H8504(1990)的带试验的方法对该光反射面进行带剥离试验时，不具有从该面剥离的层。
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