[发明专利]用于生长Ⅲ－Ⅴ发光器件的复合主体－晶种衬底有效
| 申请号： | 200680035850.9 | 申请日： | 2006-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101273472A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | M·R·克拉梅斯;N·F·加德纳;J·埃普勒 | 申请（专利权）人： | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 周铁;谭祐祥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了包含主体衬底和粘结在该主体衬底上的晶种层的衬底，然后在晶种层上生长包含布置在n型区和p型区之间的发光层的半导体结构。在一些实施方案中，粘结层将主体衬底粘结到晶种层。该晶种层可以比半导体结构中发生松驰应变的临界厚度更薄，从而通过在晶种层中形成的位错或者通过在晶种层和粘结层之间的这两层之间界面处的滑移释放半导体结构中的应变。在一些实施方案中，通过蚀刻除去粘结层可以使主体衬底与半导体结构和晶种层分离。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生长 发光 器件 复合 主体 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：提供衬底，包括：主体；和粘结到该主体的晶种层；和在该衬底上生长半导体结构，该半导体结构包括布置在n型区和p型区之间的发光层；其中所述晶种层具有的厚度小于半导体结构发生应变松驰的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司，未经飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680035850.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于制造半导体器件的方法
- 下一篇：分路电连接器及其分路
