[发明专利]用于形成包含导电封盖层的铜基金属化层的技术无效
| 申请号： | 200680036033.5 | 申请日： | 2006-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101278386A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | M·莱尔;F·科申斯基;M·诺普尔 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/288 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过提供用于金属基互连线(metal－based interconnect line)的导电封盖层(106)，可达到有关电迁移的增进效能。此外，提供对应的制造技术，其中可确实地蚀刻通孔开口(via opening)(110)进入封盖层(106)而不暴露下方金属(105b)，例如铜基(copper－based)材料，因而提供增进的电迁移(electromigration)效能，特别适于铜线与通孔间的过渡区。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 包含 导电 盖层 基金 属化层 技术 | ||
【主权项】：
1、一种方法，包括：在金属区上方形成的介电层(108)中形成第一开口(110)，该金属区包括含金属部分(105b)与导电封盖层(106)，该封盖层(106)覆盖该含金属部分(105b)以便形成与该介电层(108)的至少一个界面；蚀刻贯穿该第一开口(110)进入该封盖层(016)，而保持该含金属部分(105b)为该导电封盖层(106)所覆盖；以及至少用阻挡材料(114)与含金属材料填充该第一开口(110)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
