[发明专利]具有双极晶体管的半导体器件和制造这种器件的方法有效
| 申请号： | 200680036092.2 | 申请日： | 2006-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN101278402A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 菲利普·默尼耶－贝亚尔;雷蒙德·J·达菲;普拉巴特·阿加瓦尔;戈德弗里丢斯·A·M·胡尔克斯 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有衬底和包含双极晶体管的硅半导体主体的半导体器件(10)，该双极晶体管具有发射极区(1)、基极区(2)和集电极区(3)，所述各区通过提供适当的掺杂原子而分别是N型导电性的、P型导电性的和N型导电性的，其中所述基极区(2)包括硅和锗的混合晶体，一个硅的中间区(22)把所述基极区(2)与所述发射极区分开，所述中间区具有比所述发射极区(1)的掺杂浓度低的掺杂浓度，并且其厚度小于发射极区(1)的厚度，并且所述发射极区(1)包括一个含有硅和锗的混合晶体的子区域，其位于发射极区(1)中的远离所述中间区(22)的一侧。根据本发明，所述含有硅和锗的混合晶体的子区域基本上穿过整个发射极区(1)延伸直到与中间区(22)接触，并且发射极区(1)的掺杂原子是砷原子。这种器件在中间区(22)处或在其内部具有非常陡峭的N型掺杂分布图(50)和非常陡峭的P型掺杂分布图(20)，并且由此具有较高截止频率(fr)的高频性能。优选地，发射极区(1)在其上半部被掺杂有砷注入，最后的掺杂分布图是在RTA之后形成的。本发明还包括一种制造根据本发明的器件(10)的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 双极晶体管 半导体器件 制造 这种 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件(10)，其具有衬底(12)和包含双极晶体管的硅半导体主体(11)，该双极晶体管具有发射极区(1)、基极区(2)和集电极区(3)，所述各区通过提供适当的掺杂原子而分别是N型导电性的、P型导电性的和N型导电性的，其中所述基极区(2)包括硅和锗的混合晶体，一个硅的中间区(22)把所述基极区(2)与所述发射极区(1)分开，所述硅的中间区具有比所述发射极区(1)的掺杂浓度低的掺杂浓度并且其厚度小于发射极区(1)的厚度，并且所述发射极区(1)包括一个含有硅和锗的混合晶体的子区域，该子区域位于发射极区(1)中的远离所述中间区(22)的一侧，其特征在于所述含有硅和锗的混合晶体的子区域基本上穿过整个发射极区(1)延伸直到与中间区(22)接触，并且发射极区(1)的掺杂原子是砷原子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于NXP股份有限公司，未经NXP股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680036092.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
