[发明专利]微电子组件及其形成方法

摘要

根据本发明的一个方面，提供一种用于形成微电子组件的方法。该方法包括：在半导体衬底(20)上形成第一沟槽(28)和第二沟槽(30)；用蚀刻停止材料(42)填充第一沟槽(28)和第二沟槽(30)；在半导体衬底(20)上面形成电感器(56)；在蚀刻停止层(42)和半导体衬底(20)的至少一个中形成蚀刻孔(60)，以暴露出在第一沟槽(28)与第二沟槽(30)之间的衬底(20)；通过蚀刻孔(60)，各向同性地蚀刻在第一沟槽(28)与第二沟槽(30)之间的衬底(20)，以在衬底(20)中形成穴(66)；以及在蚀刻孔(60)上面形成密封层(70)以将穴密封。

主权项

1. 一种用于形成微电子组件的方法，包括：在半导体衬底上形成第一沟槽和第二沟槽；用蚀刻停止材料填充所述第一沟槽和所述第二沟槽；在所述半导体衬底上面形成电感器；在所述蚀刻停止层和所述半导体衬底的至少一个中形成蚀刻孔，以暴露出在所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的衬底；通过所述蚀刻孔，各向同性地蚀刻在所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的所述衬底，以在所述衬底中形成穴；以及在所述蚀刻孔上面形成密封层以将所述穴密封。