[发明专利]多层膜反射镜及制法、光学系统、曝光装置及元件的制法有效
申请号: | 200680036526.9 | 申请日: | 2006-10-04 |
公开(公告)号: | CN101278376A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 白石雅之 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G02B5/08;G03F7/20;G21K1/06 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的多层膜反射镜(2)包括基板(4)及多层膜(6),多层膜(6)具有第1材料层(6a)及第2材料层(6b)交替地成膜在上述基板表面上的构造。上述多层膜表面附近的上述第1材料层在面内具有厚度的分布,其中,上述多层膜反射镜(2)含有:中间层(7),其是成膜在上述多层膜表面上的Si层或含有Si之层,上述中间层表面所处的位置与上述多层膜的上述第2材料层表面所处的位置大致相同;及覆盖层(8),其均匀地成膜在上述中间层的表面。 | ||
搜索关键词: | 多层 反射 制法 光学系统 曝光 装置 元件 | ||
【主权项】:
1.一种多层膜反射镜,其包括基板、及构造上是第1材料层及第2材料层交替成膜在上述基板表面上的多层膜,上述多层膜表面附近的上述第1材料层在面内具有厚度上的分布,其特征为,此多层膜反射镜包括:中间层,其形成在上述多层膜表面上且为Si层或含有Si之层,上述中间层的表面所处的位置与上述多层膜的上述第2材料层的表面所处的位置大致相同;以及覆盖层,其均匀地成膜在上述中间层的表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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