[发明专利]半导体存储装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200680037013.X | 申请日： | 2006-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN101283448A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 中川隆史;斋藤幸重 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在硅基板表面上将第1绝缘膜(硅氧化膜)、第2绝缘膜(铝氧化膜)按照该顺序层积，形成栅极绝缘膜，使第1绝缘膜的一部分中含有作为构成第2绝缘膜的元素的至少一种元素、且与第1绝缘膜的整个区域中共同含有的元素不同的元素(铝)，在第1绝缘膜上形成电荷俘获点区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储装置，具有多个非易失性存储器元件，该非易失性存储器元件具有与半导体基板表面接触形成的第1绝缘膜以及与该第1绝缘膜接触形成的第2绝缘膜，作为栅极绝缘膜，该非易失性半导体存储装置的特征在于，在上述第1绝缘膜的至少与上述第2绝缘膜接触的区域中含有构成上述第2绝缘膜的元素的至少一种元素，作为电荷俘获点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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