[发明专利]CMP用研磨液及研磨方法有效
| 申请号： | 200680037661.5 | 申请日： | 2006-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN101283441A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 筱田隆;野部茂;樱田刚史;大森义和;木村忠广 | 申请（专利权）人： | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供CMP研磨液，该CMP研磨液通过抑制阻挡导体与铜等导电性物质的界面部附近的电子移动，抑制导电性物质配线腐蚀，即，抑制阻挡导体与导电性物质的异种金属接触腐蚀。本发明涉及的CMP研磨液为，至少研磨导体层以及与上述导体层接触的导电性物质层，在电位计的正极与上述导电性物质连接、负极与上述导体连接的该研磨液中的导电性物质和导体在50±5℃时的电位差绝对值为0.25V以下。优选其中包含杂环化合物，所述杂环化合物含有羟基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亚磺酰基中的任1种，且含有氮和硫原子中的至少1种。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 研磨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMP研磨液，其特征在于：其至少研磨导体层以及与所述导体层接触的导电性物质层，在电位计的正极侧与上述导电性物质连接、负极侧与上述导体连接的该研磨液中的导电性物质和导体在50±5℃时的电位差绝对值为0.25V以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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