[发明专利]元件的制造方法无效
| 申请号： | 200680037806.1 | 申请日： | 2006-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101283443A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 久保田高史;松浦宜范 | 申请（专利权）人： | 三井金属鉱业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;G02F1/1343;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/52;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 冯雅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及具备刻蚀铝合金膜而形成配线电路的工序的元件的制造方法，提供极度抑制对铝合金膜造成的破坏，可以实现可靠性高的元件的制造技术。具备在基板上形成铝合金膜，刻蚀该铝合金膜而形成配线电路的工序的元件的制造方法中，形成铝合金膜后，使铝合金膜表面氧化。这时的氧化处理如下进行：以相对于将具备自然氧化被膜的规定厚度的铝合金膜通过铝合金用刻蚀液以总厚度刻蚀时所算出的厚度方向的刻蚀速度，可以确保80％以上的刻蚀速度的条件，形成氧化被膜。 | ||
| 搜索关键词： | 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.元件的制造方法，它是具备在基板上形成铝合金膜，刻蚀该铝合金膜而形成配线电路的工序的元件的制造方法，其特征在于，形成铝合金膜后，使铝合金膜表面氧化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三井金属鉱业株式会社，未经三井金属鉱业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680037806.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
