[发明专利]微电子成像单元和以晶片级制造微电子成像单元的方法无效
申请号: | 200680038599.1 | 申请日: | 2006-08-31 |
公开(公告)号: | CN101292352A | 公开(公告)日: | 2008-10-22 |
发明(设计)人: | 史蒂文·D·奥利弗;陆·韦利基;威廉·M·希亚特;戴维·R·亨布里;马克·E·塔特尔;悉尼·里格;詹姆斯·沃克;沃伦·M·法恩沃思;凯尔·柯比 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王允方 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明揭示微电子成像单元和用于以晶片级制造多个成像单元的方法。在一个实施例中,一种用于制造多个成像单元的方法包括提供具有多个成像电路小片的成像器工件,所述成像电路小片包括集成电路、电耦合到所述集成电路的外部接点和可操作地耦合到所述集成电路的图像传感器。所述各个图像传感器包括位于所述图像传感器的周边部分处的至少一个暗电流像素。所述方法包括在所述工件上并在所述图像传感器上方沉积覆盖层。所述方法进一步包括对所述覆盖层进行图案化和选择性显影以在相应图像传感器上方形成若干离散体积的覆盖层材料。所述离散体积的覆盖层材料具有与所述各个暗电流像素的内侧边缘对准的侧壁,使得所述暗电流像素不被所述离散体积覆盖。 | ||
搜索关键词: | 微电子 成像 单元 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造多个微电子成像单元的方法,所述方法包含:提供具有多个成像电路小片的成像器工件,所述成像电路小片包括集成电路、电耦合到所述集成电路的外部接点和可操作地耦合到所述集成电路的图像传感器,所述各个图像传感器包括位于所述图像传感器的周边部分处的至少一个暗电流像素;在所述工件上并在所述图像传感器上方沉积覆盖层;和对所述覆盖层进行图案化和选择性显影,以在相应图像传感器上方形成若干离散体积的覆盖层材料,所述离散体积具有与所述各个暗电流像素的内侧边缘对准的侧壁,使得所述暗电流像素不被所述离散体积覆盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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