[发明专利]使用替代的氟化含硼前驱体的硼离子注入和用于注入的大氢化硼的形成有效
| 申请号： | 200680038622.7 | 申请日： | 2006-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101291742A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 卡尔·M·奥兰德;乔斯·I·阿尔诺;罗伯特·凯姆 | 申请（专利权）人： | 先进科技材料公司 |
| 主分类号： | B05D3/06 | 分类号： | B05D3/06;C23C14/14;C23C14/24;C23C14/46;C23C14/48;H01L21/265;H01L21/425 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及使用比三氟化硼更容易解离的含氟硼掺杂物质注入含硼离子的方法。本发明涉及制造半导体器件的方法，其包括使用比三氟化硼更容易解离的含氟硼掺杂物质注入含硼离子。本发明也揭示供应氢化硼前驱体的系统，形成氢化硼前驱体的方法和供应氢化硼前驱体的方法。在本发明的一个实施例中，产生所述氢化硼前驱体来用于团簇硼注入，以制造半导体产品，例如集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 替代 氟化 前驱 离子 注入 用于 氢化 形成 | ||
【主权项】：
1.一种注入含硼离子的方法，其包含：在真空室中在电离条件下使汽化的含硼掺杂物质电离，以产生含硼离子；和通过电场加速所述含硼离子，以将含硼离子注入器件衬底中，其中所述含硼掺杂物质不含三氟化硼。
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