[发明专利]多向共用像素上的高动态范围/抗溢出共同栅极

摘要

本发明在各种示范性实施例中提供一种具有多个像素单元的像素阵列架构，其中所述像素单元具有共用的像素单元组件。所述像素架构增加潜在的填充因数，且进而增加像素阵列的量子效率。所述共同像素组件可由所述阵列中的许多像素共用，且可包括用于提供所述像素的优于常规像素的抗溢出特性的共用栅极。实施例包括高动态范围/抗溢出栅极的多向共用和操作方法。

主权项

1.一种像素阵列，其包含：第一光传感器，其用于响应于所施加的光而产生电荷；第二光传感器，其用于响应于所施加的光而产生电荷；以及第一和第二高动态范围/抗溢出(“HDR/AB”)晶体管，其分别耦合到所述第一光传感器和所述第二光传感器以用于将所述产生的电荷从所述光传感器排出到共同漏极区域，所述晶体管具有共同HDR/AB栅极。