[发明专利]具有单个势垒的沟槽型肖特基器件无效
| 申请号： | 200680038726.8 | 申请日： | 2006-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN101506977A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 乔瓦尼·里基耶罗;罗萨罗·卡尔塔 | 申请（专利权）人： | 国际整流器公司 |
| 主分类号： | H01L27/095 | 分类号： | H01L27/095 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 朦;王艳春 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于形成沟槽型肖特基势垒器件的工艺包括：在硅晶片表面中的沟槽内形成氧化物层，然后在该晶片的全部上表面上沉积完全连续的金属势垒层，该全部上表面包括沟槽内部以及沟槽间的台，势垒只与台接触。可以使用钛、钯和任何传统的势垒金属。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 单个 沟槽 型肖特基 器件 | ||
【主权项】：
1. 用于形成沟槽型肖特基器件的方法，包括以下步骤：在半导体晶片的上表面内形成平行沟槽；在每个所述沟槽的内壁上形成氧化物层，使所述沟槽之间的台的顶部不被绝缘；在所述晶片的全部暴露的上表面上涂覆肖特基势垒层金属，所述肖特基势垒层金属在所述台上并与所述台接触、以及在所述沟槽中的所述氧化物层上，从而与所述沟槽的壁绝缘，由此所述单个势垒层金属对硅限定出肖特基势垒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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